存储空间：8KB 不同于 Flash 和 E2PROM，无需写等待时间。 使用 I2C 总线，频率可到 400KHz。 数据可以保持 10 年。 WP 脚为高电平时处于写保护状态，默认已内部下拉到地。 器件地址为 7bits 模式，高4位为设备类型码（1010b），低 3 位由硬件引脚 A2、A1、A0 指定（已内部下拉），与 MB85RC16 是不同的。这使得一条总线上可以挂载多个同型号的器件。 存储器的写与读速度是相同的，所以无需在写的时候额外添加等待时间。 8KB 存储空间的有效地址为 13 位。 随机读： 写字节： 写页： 存储器的页指的是整个 8KB 的存储区，没有划分为若干页。当地址空间溢出时回回滚到 000H 继续增长...
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铁电（FRAM）随机存取存储器 MB85RC16
存储空间：2KB 不同于 Flash 和 E2PROM，无需写等待时间。 使用 I2C 总线，频率可到 1MHz。 数据可以保持 10 年。 WP 脚为高电平时处于写保护状态，默认已内部下拉到地。 器件地址为 7bits 模式，高 4 位为设备类型码（1010b），低 3 位为存储地址的高 3 位。 写字节： 写页： 存储器的页指的是整个 2KB 的存储区，没有划分为若干页。当地址空间溢出时回回滚到 000H 继续增长。 读当前地址： 上一次操作完成后存储器的地址仍被保留再地址缓冲器中，这时使用读当前地址命令可以直接读到缓冲器缓存的地址（n + 1）指向的存储区。地址缓冲器中的地址在上电后是不确定的。11 位地址的高三位是需要指定的。 随机读取： 读取可以持续进行，地址溢出后会回滚到000...