PN 结正向偏置和反向偏置的原理
正向偏置：
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当外加直流电压使 PN 结 P 型半导体的一端电位高于 N 型半导体一端的电位时，称为正偏。此时，外加电场的方向与 PN 结产生的内电场方向相反，削弱了内电场，使 PN 结变薄，有利于两区多数载流子向对方扩散，形成正向电流。
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正向偏置使 PN 结的电阻降低，呈现出低阻、导通状态。
反向偏置：
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当外加直流电压使 PN 结 N 型半导体的一端电位高于 P 型半导体一端的电位时，称为反偏。此时，外加电场的方向与 PN 结产生的内电场方向一致，因而加强了内电场，使 PN 结加宽，阻碍了多子的扩散运动。
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反向偏置使 PN 结的电阻增加，呈现出高阻、截止状态。由于少子浓度主要与温度相关，因此反向电流与反向电压几乎无关。
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