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铁电(FRAM)随机存取存储器 MB85RC16

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发表于 2023-12-25 23:54:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

存储空间:2KB

不同于 Flash 和 E2PROM,无需写等待时间。

使用 I2C 总线,频率可到 1MHz。

数据可以保持 10 年。

WP 脚为高电平时处于写保护状态,默认已内部下拉到地。

器件地址为 7bits 模式,高4位为设备类型码(1010b),低 3 位为存储地址的高 3 位。

写字节:

写页:

存储器的页指的是整个 2KB 的存储区,没有划分为若干页。当地址空间溢出时回回滚到 000H 继续增长。

读当前地址:

上一次操作完成后存储器的地址仍被保留再地址缓冲器中,这时使用读当前地址命令可以直接读到缓冲器缓存的地址(n + 1)指向的存储区。地址缓冲器中的地址在上电后是不确定的。11 位地址的高三位是需要指定的。

随机读取:

读取可以持续进行,地址溢出后会回滚到000H。


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